俄羅斯《大眾機械》推薦最有影響力10大新技術
當今世界，科技發(fā)展日新月異，科學新概念層出不窮，新技術工藝相繼閃亮登場。納米材料、信息技術、生物制藥、節(jié)能環(huán)�？萍碱I域的創(chuàng)新和研發(fā)引人注目，鼓舞人心。一項新的科技發(fā)明會在不知不覺中改變我們的生活，影響社會發(fā)展的歷程。
近日，俄羅斯《大眾機械》雜志撰文指出，以下科技新技術會使人類生活因此而更加完美無缺。
相變隨機閃存(PRAM)
手機、手提電腦等移動設備對存儲器的要求，與服務器和臺式電腦等截然不同。長期以來，人們對這些移動設備存儲器的主要性能要求是低成本、低功耗以及非易失性。
但是，由于目前開發(fā)的各類存儲器都有其自身缺陷，因而沒有一款能夠完全滿足上述所有要求。例如，動態(tài)隨機存儲器成本低且能夠隨機訪問，但遺憾的是存在易失性，即斷電后會發(fā)生數據丟失；充當緩存的靜態(tài)隨機存儲器讀寫速度快且能夠隨機訪問，但缺點是成本較高；相比之下，閃存成本低且具有非易失性特點，然而苦于速度慢又無法隨機訪問。除此之外，目前的閃存制造技術也無法生產出存儲容量超過16G的產品。
最新興起的相變隨機閃存技術，類似于CD和CD驅動器中所采用的技術。在PRAM中，電流將硫化薄膜加熱至晶態(tài)或非晶態(tài)，因兩種狀態(tài)下的電阻率有很大差別，從而可判讀為0或1，只要在上面施加少量的復位電流就能觸發(fā)這兩個狀態(tài)的切換。
在現有的電子產品中，廣泛使用的非易失性閃存有NOR和NAND兩種：NOR閃存適合直接運行軟件，但它的速度較慢，而且造價昂貴；NAND閃存容易大規(guī)模制造，更適合存儲大容量文件，如MP3音樂文件等。PRAM閃存則采用垂直二極管和三維晶體管結構，不需要在儲存新數據前擦除舊數據，因而是非易失性的，也就是說，在電子設備關閉時仍能保存數據。
目前，三星公司在PRAM領域的研發(fā)處于世界領先水平，2006年已經展示了它的初級產品，這些新產品比現有普通閃存快30倍以上。三星公司表示，PRAM產品有望在2008年上市，它極有可能將成為NOR閃存的最終替代品。
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